民生證券：行業(yè)需求逐步復蘇 存儲周期拐點共識已逐漸形成

（原標題：民生證券：行業(yè)需求逐步復蘇 存儲周期拐點共識已逐漸形成）

智通財經APP獲悉，民生證券發(fā)布研究報告稱，存儲龍頭SK海力士和三星Q2財報環(huán)比好轉，得益于AI服務器上量。展望Q3，隨著減產力度加大，行業(yè)庫存調整，需求逐步復蘇，存儲出貨量有望上升。該行指出，存儲周期拐點共識已逐漸形成，且AI帶動HBM、DDR5需求，將加速板塊上行。模組廠方面，建議關注德明利(001309.SZ)、江波龍(301308.SZ)、朗科科技(300042.SZ)等。設備材料+封測方面，建議關注雅克科技(002409.SZ)、深科技(000021.SZ)、精智達(688627.SH)等。芯片方面，建議關注兆易創(chuàng)新(603986.SH)、東芯股份(688110.SH)、北京君正(300223.SZ)、普冉股份(688766.SH)、恒爍股份(688416.SH)等。

(資料圖片)

民生證券主要觀點如下：

Q2業(yè)績優(yōu)于預期，預計23Q3情況向好。

存儲龍頭SK海力士和三星均分別于7月26日和7月27日披露了23年Q2財報。其中SK海力士Q2營收環(huán)比增長43.59%，超預期，毛利率為-16.12%，環(huán)比提升16.21pct;三星Q2存儲業(yè)務營收8.97兆韓元，環(huán)比增長1%。環(huán)比好轉，得益于AI服務器上量，HBM等為代表的高密度/高性能產品需求強勁。

展望Q3，隨著減產力度加大，行業(yè)庫存調整，需求逐步復蘇，存儲出貨量有望上升。SK海力士預計DRAM產品出貨量環(huán)比增長約10-15%，NAND產品出貨量持平Q2。三星同樣預計DRAM出貨量環(huán)比增長10%以上，但NAND出貨量環(huán)比增長中高個位數，超出市場水平。

需求：PC、手機市場需求漸進回暖，AI服務器帶動HBM旺盛需求。

服務器方面，SK海力士預計，2023年128GB及以上大容量DDR5服務器模組及HBM產品銷售額預計同比增長兩倍以上，并于2024年持續(xù)增長;三星預計，受益于服務器存儲庫存不斷消耗，DDR4和DDR5的訂單有望在下半年有所改善。PC和智能手機方面，雖然智能手機復蘇依舊乏力，但環(huán)比來看，下半年新機發(fā)售，旗艦產品對LPDDR5需求增加，有望推動下半年產品售價有所改善。

供給：海外龍頭削減資本開支，存儲周期拐點已現。

資本開支方面，SK海力士資本開支于FY22Q3開始持續(xù)下降，23年資本開支同比將下降50%以上，三星也表示將在23年下半年繼續(xù)削減產能。由于NAND價格反彈將晚于DRAM，兩家廠商對NAND減產力度更大。庫存方面，SK海力士23Q2庫存環(huán)比減少4.44%;三星表示DRAM和NAND的庫存已于5月份達到峰值，目前處于迅速下降狀態(tài)。

新品：海外大廠加速高端產品研發(fā)，HBM、DDR5群雄逐鹿。

HBM方面，SK海力士24GB HBM3E產品已經送樣，且預計2026年HBM4將應用于市場，三星的8層16Gb和12層24Gb HBM3產品已經開始向主要的AI SoC等公司出貨，并計劃于23年下半年推出HBM3E。美光也于7月26日發(fā)布了業(yè)界首款8層24GB HBM3 Gen2內存芯片，該產品采用S1b DRAM工藝節(jié)點，性能提高50%。DDR5方面，SK海力士基于1b nm制程的服務器DDR5產品正在驗證中，相比上一代產品功耗降低20%以上;三星計劃今年內推出32Gb DDR5產品，美光也計劃于2024年量產采用1b工藝的32Gb DDR5產品。

投資建議：存儲周期拐點共識已逐漸形成，且AI帶動HBM、DDR5需求，將加速板塊上行。模組廠方面，建議關注德明利、江波龍、朗科科技等。設備材料+封測方面，建議關注雅克科技、深科技、精智達等。芯片方面，建議關注兆易創(chuàng)新、東芯股份、北京君正、普冉股份、恒爍股份等。

風險提示：下游市場復蘇不及預期;存儲原廠減產不及預期

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